充电桩/车载OBC

东微 超结MOS

基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。

代表型号:

OSG65R038HZF

VDS:650V

VGS:±30V

ID:80A

RDS(on)@VGS=10V：38MΩ

Qg:173nC

封装：TO-247

OSG65R099HZF

VDS:650V

VGS:±30V

ID:40A

RDS(on)@VGS=10V：99MΩ

Qg:43.6nC